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Numonyx确认相变存储器将跨节点采用45nm技术

作者:七娃 发布时间:2019-07-26

  由英特尔公司和ST的存储器业务部门联合组成的闪存公司Numonyx,已证实将跨过一个节点,采用45nm制造工艺“以最快速度”推出相变存储器(PCM)。

  在Numonyx的正式发布会上,首席执行官Brian Harrison确认目前以90nm技术制作样品的128-Mbit的器件——相变存储器将转用45nm节点工艺。

  “这种(90nm存储器)技术的目的只是工艺研究工具。虽然我们有需要这种存储器的客户,但在密度方面它不如NOR flash有竞争力。我们希望在2009年年中实现45nm工艺,”Numonyx的首席技术官Ed Doller介绍。“我们的首要目标是尽快利用45nm工艺制作出单层单元PCM。最重要的是我们谈过的MLC(多层单元)和用硅材料作出示范样品。还有许多产品工程方面的问题要理解。”

  Doller不愿透露2009年45nm工艺生产的PCM将具有多大的存储容量。“利用45nm工艺将使PCM增加功能性,这使它和NOR flash比起来很有竞争力,”Doller表示。Doller透露Numonyx NOR flash存储器预计在2008年第四季度采用45nm技术生产,第一批产品的容量为1-Gbit。

  相变存储器利用的是一种硫族材料中的热诱导可逆转变——介于非晶态和晶态之间。这种容量为128-Mbit的器件的设计目标是作为引脚兼容NOR的替代产品,以比传统flash更低的功率,提供快速读写速度,并且具备一般RAM才有的位可变性。

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